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柔性線路板廠之存儲芯片廠商開啟新一輪工藝競爭!

2023-06-24 09:12

  柔性線路板廠了解到,近日,三星、SK海力士等DRAM廠商爭相爆出有關(guān)第五代1bDRAM的最新研發(fā)進(jìn)展,新一代產(chǎn)品在數(shù)據(jù)處理速度、功耗、耗電量等方面都有了顯著提升,在移動設(shè)備、智能車輛、數(shù)據(jù)中心以及人工智能等領(lǐng)域的應(yīng)用將更加廣泛。

 

  英特爾、英偉達(dá)、AMD等廠商開始了新一輪的訂購,存儲廠商也將1bDRAM視為改善業(yè)績的關(guān)鍵產(chǎn)品。同時,存儲廠商開始了對下一代工藝節(jié)點1c的研發(fā)。有消息說,三星將跳過1bDRAM,直接研發(fā)1cDRAM。面向當(dāng)前的1b競爭與未來的1c競爭,存儲廠商已經(jīng)開始暗中較勁。

 

1bDRAM研發(fā)如火如荼

 

  一直以來,各大內(nèi)存廠商將上一代DRAM芯片按照1X、1Y、1Z進(jìn)行工藝區(qū)分,1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm制程工藝、1Ynm相當(dāng)于14-16nm制程工藝,1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm制程工藝。而新一代的1a、1b和1c則分別代表14-12nm、12-10nm以及10nm及以下制程工藝。

 

各大DRAM企業(yè)的研發(fā)進(jìn)展圖

 

  SK海力士重點發(fā)力存儲產(chǎn)品的運(yùn)行速度。據(jù)悉,SK海力士已開始與英特爾一起驗證其最新的Gen 5(1b)10nm服務(wù)器DDR5 DRAM,后續(xù)可與英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺服務(wù)器處理器搭配使用。

 

  三星則一如既往強(qiáng)調(diào)研發(fā)和技術(shù)領(lǐng)先性,宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn),并在最近與AMD完成了兼容性測試。三星表示,這款產(chǎn)品是業(yè)界最先進(jìn)的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。

 

  FPC廠了解到,存儲三巨頭中,美光在1bDRAM的推出時間上占得先機(jī),已經(jīng)向智能手機(jī)制造商和芯片組的合作伙伴運(yùn)送樣品,還將在LPDDR5X內(nèi)存上采用新的工藝技術(shù),提供最高8.5Gbps速率。

 

1cDRAM成為下半場競爭關(guān)鍵

 

  雖然1b相比1a工藝在密度、性能、能效方面都有一定提升,但相比下一代工藝1c仍存在局限性。相較于1a工藝節(jié)點,1b工藝節(jié)點的提升主要體現(xiàn)在功耗和性能方面。1bDRAM能夠提供更低的功耗和更高的性能,同時也能夠更好地適應(yīng)新一代處理器的需求。然而,1bDRAM與1cDRAM相比,還存在一定的局限性,無法支持更高的容量和更快的速度。

 

 

  因此,業(yè)界認(rèn)為1c工藝是DRAM接下來的競爭關(guān)鍵。據(jù)悉,1bDRAM產(chǎn)品主要受存儲市場萎靡影響,市場空間相對有限。預(yù)計存儲市場在2023年底或2024年上半年開始反彈,按照DRAM市場技術(shù)迭代速度,市場復(fù)蘇剛好迎來1cDRAM產(chǎn)品推出時間,所以1cDRAM產(chǎn)品成為市場復(fù)蘇后各家競爭關(guān)鍵。

 

 

  軟板廠了解到,目前來看,三星、SK海力士和美光都有在1cDRAM份額爭奪戰(zhàn)中拔得頭籌的機(jī)會。三星在研發(fā)方面一直處于領(lǐng)先地位,SK海力士具有強(qiáng)大的生產(chǎn)能力和技術(shù)實力,而美光則具有獨特的技術(shù)和設(shè)計優(yōu)勢,產(chǎn)品迭代形成產(chǎn)品穩(wěn)定性。目前三家的研發(fā)進(jìn)度都比較接近,未來的走勢還需要時間和機(jī)遇的檢驗。

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